IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N006ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L006ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $1.38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS-7 trench
パッケージ PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-43
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
RoHS ステータス — Compliant
ピン数 — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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