IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUCN08S7N034ATMA1 por Infineon y IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 - 80V 120A 3.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 ✓ ActivoInfineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUCN08S7N034ATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,48 | $1,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 120 A | 100 A (package limited) |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 3.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.27 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.115 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 23 pF | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 118 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | MSL 1 (unlimited floor life) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55°C to +175°C |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Trench) |
| Channel Mode | — | Enhancement |