IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N034ATMA1 par Infineon et IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 - 80V 120A 3.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7N034ATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,48 | $1,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 120 A | 100 A (package limited) |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 3.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.27 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.115 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 23 pF | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 118 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL 1 (unlimited floor life) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Trench) |
| Channel Mode | — | Enhancement |