IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
Recuento de pines 8 —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

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