IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,62 | $1,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Power Dissipation (TC) | — | 219 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |