IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Courant de drain continu (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Fiches techniques et ressources

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