IGK120B041SXTSA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IGK120B041SXTSA1 por Infineon y IGLR70R200D2SXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IGK120B041SXTSA1 IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 ✓ Activo
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IGK120B041SXTSA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) CoolGaN G5
Technology Gallium Nitride (GaN) on Silicon GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Generation G3 (medium-voltage) —
Tipo de transistor N-Channel, Monolithic Bidirectional —
Drain-Source Voltage (VDS, max) 40 V (symmetric, both polarities) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 9.3 A
Power Dissipation (Tc) 15 W —
Power Dissipation (Ta) 1.2 W —
Total Gate Charge (Qg) 4.4 nC 1.26 nC
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Operating Mode Normally-off —
Encapsulado SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction temperature range] -40 °C to +150 °C
Estado RoHS Compliant (Pb-free) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

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