IGK120B041SXTSA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGK120B041SXTSA1 par Infineon et IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGK120B041SXTSA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) CoolGaN G5
Technology Gallium Nitride (GaN) on Silicon GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Generation G3 (medium-voltage) —
Type de transistor N-Channel, Monolithic Bidirectional —
Drain-Source Voltage (VDS, max) 40 V (symmetric, both polarities) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 9.3 A
Power Dissipation (Tc) 15 W —
Power Dissipation (Ta) 1.2 W —
Total Gate Charge (Qg) 4.4 nC 1.26 nC
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Operating Mode Normally-off —
Boîtier SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Type de montage Surface Mount —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction temperature range] -40 °C to +150 °C
Statut RoHS Compliant (Pb-free) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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