IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon y IPB025N10N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB020NE7N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,31 $3,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W 300 W
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
Encapsulado PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
FET Type — N-Channel
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Sin halógenos — Yes

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