IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon e IPB025N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPB020NE7N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,31 | $3,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Livre de halogênio | — | Yes |