IPB038N12N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB038N12N3GATMA1 por Infineon y IPB072N15N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB038N12N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $2,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Drive Logic-level compatible —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Encapsulado — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

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