IPB038N12N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB038N12N3GATMA1 от Infineon и IPB072N15N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB038N12N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,78 $2,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Корпус / Типоразмер PG-TO263-3 (D2PAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Drive Logic-level compatible —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Корпус — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену