IPB038N12N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB038N12N3GATMA1 por Infineon e IPB072N15N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB038N12N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $2,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Drive Logic-level compatible —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Encapsulamento — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

Fichas técnicas e recursos

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