IPB110P06LMATMA1 vs IPD038N06N3GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon y IPD038N06N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPB110P06LMATMA1 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,31 | $0,65 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +175 C (TJ) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado / Carcasa | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Encapsulado | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Nivel MSL | — | 1 |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |