IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon y IPD50P04P4L11ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $0,82
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

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