IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon et IPD50P04P4L11ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $0,82
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Type de transistor — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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