IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon y IPL60R085P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPL60R085P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,19 | $2,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 227 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulado | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | — | 24 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 85 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 154 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -40 °C to +150 °C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ESD Robustness (HBM) | — | >2 kV (all pins) |
| Qualification | — | JEDEC industrial |
| Polarity | — | N-channel |