IPB60R280P7ATMA1 vs IPD80R750P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon y IPD80R750P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R280P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) CoolMOS (Super-Junction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS P7
Part Number — IPD80R750P7ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 7 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 750 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typical)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 51 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
Gate Protection — Integrated Zener (ESD protected)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1)

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