IPB60R280P7ATMA1 vs IPD80R750P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPD80R750P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) CoolMOS (Super-Junction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS P7
Part Number — IPD80R750P7ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 7 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 750 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typical)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 51 W
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Gate Protection — Integrated Zener (ESD protected)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1)

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