IPD068N10N3GATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD068N10N3GATMA1 por Infineon y IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD068N10N3GATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel

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