IPD068N10N3GATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD068N10N3GATMA1 par Infineon et IPD80R600P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD068N10N3GATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel

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