IPD068N10N3GATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD068N10N3GATMA1 por Infineon e IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD068N10N3GATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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