IPD200N15N3GATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD200N15N3GATMA1 por Infineon y IPD320N20N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD200N15N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,50 $1,34
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD200N15N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (trench) OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 150 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 34 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (Tj)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

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