IPD200N15N3GATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD200N15N3GATMA1 par Infineon et IPD320N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD200N15N3GATMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,50 | $1,34 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD200N15N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench) | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 150 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 34 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |