IPD200N15N3GATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD200N15N3GATMA1 por Infineon e IPD320N20N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD200N15N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,50 $1,34
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD200N15N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (trench) OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 150 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 34 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

Fichas técnicas e recursos

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