IPD50N04S408ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon y IPC50N04S55R8ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N04S408ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel Enhancement Mode
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Nivel MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 50 A
Power Dissipation (P_D) at Tc — 42 W
R_DS(on) Max (V_GS=10V) — 5.8 mΩ
Output Capacitance (C_oss) — 305 pF
Gate Threshold (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS compliant, Green Product

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