IPD50N04S408ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N04S408ATMA1 par Infineon et IPC50N04S55R8ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50N04S408ATMA1 | IPC50N04S55R8ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,69 | $0,61 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Polarity | N-Channel | Enhancement Mode |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 50 A |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 42 W |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | — | 5.8 mΩ |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 305 pF |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS compliant, Green Product |