IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N06S409ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,89
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD50N10S3L16ATMA1
Series — OptiMOS-T
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 200 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.5 V (typ)
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) — 100 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel

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