IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD50N10S3L16ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.89
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
ピン数 3 (2 + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD50N10S3L16ATMA1
Series — OptiMOS-T
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 200 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.5 V (typ)
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) — 100 W
動作温度範囲 — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel

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