IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD50N06S409ATMA2 от Infineon и IPD50N10S3L16ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD50N06S409ATMA2 | IPD50N10S3L16ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,49 | $0,89 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Число выводов | 3 (2 + Tab) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD50N10S3L16ATMA1 |
| Series | — | OptiMOS-T |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 200 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | — | 100 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel |