IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA2 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,96 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-T —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Maximum R_DS(on) at VGS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 100 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (junction) —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Delivery Form Tape and Reel (T&R) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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