IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N10S3L16ATMA2 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,96 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-T —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Maximum R_DS(on) at VGS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 100 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction) —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Delivery Form Tape and Reel (T&R) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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