IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5305TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50P04P4L11ATMA2 por Infineon y IRFR5305TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Activo
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IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50P04P4L11ATMA2 IRFR5305TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,32
Tipo de transistor P-Channel MOSFET, enhancement mode —
Drain-Source Voltage VDS -40 V —
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) -50 A —
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) 10.6 mΩ typical —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -2.5 V typical —
Typical Gate Charge Qg 45 nC —
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) 58 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Recuento de pines 3 (Drain / Tab / Source / Gate) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

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