IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5305TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50P04P4L11ATMA2 par Infineon et IRFR5305TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50P04P4L11ATMA2 IRFR5305TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,32
Type de transistor P-Channel MOSFET, enhancement mode —
Drain-Source Voltage VDS -40 V —
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) -50 A —
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) 10.6 mΩ typical —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -2.5 V typical —
Typical Gate Charge Qg 45 nC —
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) 58 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Nombre de broches 3 (Drain / Tab / Source / Gate) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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