IPD70N10S312ATMA2 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD70N10S312ATMA2 por Infineon y BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD70N10S312ATMA2 BSZ110N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

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