IPD70N10S312ATMA2 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA2 par Infineon et BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD70N10S312ATMA2 BSZ110N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

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