IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD70R1K4P7SAUMA1 por Infineon y IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Activo
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD70R1K4P7SAUMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) OptiMOS 6
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

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