IPD80R280P7ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon y IPD50N04S408ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R280P7ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 OptiMOS-T2
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260 °C peak reflow)
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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