IPD80R280P7ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon e IPD50N04S408ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R280P7ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 OptiMOS-T2
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260 °C peak reflow)
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Fichas técnicas e recursos

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