IPD80R280P7ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R280P7ATMA1 par Infineon et IPD50N04S408ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R280P7ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 OptiMOS-T2
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260 °C peak reflow)
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Fiches techniques et ressources

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