IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R600P7ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,82
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +150C
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Polarity N-Channel —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Estado RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes

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