IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R600P7ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,82
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Polarity N-Channel —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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