IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon y IPL60R180P6AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R600P7ATMA1 IPL60R180P6AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $1,92
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Polarity N-Channel —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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