IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon e IPL60R180P6AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R600P7ATMA1 IPL60R180P6AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $1,92
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Polarity N-Channel —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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