IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPL60R180P6AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R600P7ATMA1 IPL60R180P6AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $1,92
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Polarity N-Channel —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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