IPD80R750P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R750P7ATMA1 por Infineon y IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R750P7ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ E6
Part Number IPD80R750P7ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS (Super-Junction) Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 7 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 750 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typical) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 51 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ) —
Gate Protection Integrated Zener (ESD protected) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Encapsulado — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Nivel MSL — 1

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