IPD80R750P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R750P7ATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET, 7A | Infineon

IPD80R750P7ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R750P7ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ E6
Part Number IPD80R750P7ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS (Super-Junction) Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 7 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 750 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typical) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 51 W —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Gate Protection Integrated Zener (ESD protected) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Niveau MSL — 1

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