IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S408ATMA1 por Infineon y IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S408ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,78
FET Type Dual N-Channel Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 degC to +175 degC —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (peak reflow 260 C)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

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