IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon y IPG20N04S408ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,78
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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