IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon e IPG20N04S408ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,78
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Temperatura de junção de operação — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

Fichas técnicas e recursos

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